铠侠推出UFS 4.1闪存:最高1TB,BiCS8芯片打造科技头条

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摘要如今手机的存储技术日新月异,特别是这几年闪存技术提升十分明显,包括传输性能以及容量这两个对于消费者最重要的性能参数。作为行业领先的存储制造商,铠侠就宣布正式出样UFS 4.1嵌入式...

如今手机的存储技术日新月异,特别是这几年闪存技术提升十分明显,包括传输性能以及容量这两个对于消费者最重要的性能参数。作为行业领先的存储制造商,铠侠就宣布正式出样UFS 4.1嵌入式闪存,为下一代移动设备做准备,相比较如今的UFS闪存,UFS 4.1闪存在随机性能上有着巨大的提升,从而让手机等日常应用更加流畅。

铠侠推出UFS 4.1闪存:最高1TB,BiCS8芯片打造-图片1

根据铠侠的说法,铠侠UFS 4.1闪存采用了铠侠最新的BiCS8 FLASH 3D闪存芯片,拥有256GB、512GB以及1TB三种规格,与上一代的产品相比,随机写入性能提升不少,幅度大约有30%,而随机读取性能更是有着巨大的进步,达到了45%左右。相比较随机读取,顺序读写性能提升幅度就没有这么大了,幅度大约是20%。

铠侠推出UFS 4.1闪存:最高1TB,BiCS8芯片打造-图片2

同时铠侠UFS 4.1闪存还支持延迟垃圾收集,让设备使用起来更加流畅,另外铠侠也表示UFS 4.1闪存能够兼顾高速传输以及低功耗,还能让手机的续航时间有着一定的提升,还可以减少手机厂商对于散热器的布局难度。

铠侠推出UFS 4.1闪存:最高1TB,BiCS8芯片打造-图片3

既然现在铠侠UFS 4.1闪存已经顺利出样,预计今年下半年旗舰手机很有可能就将使用这颗闪存芯片,从而在存储性能上更上一层楼,当然也不乏会有手机厂商大书特书自家的存储芯片,来吸引更多消费者前去购买。

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